FEMAG/PVT软件

        FEMAG/PVT是FEMAG专门用于模拟物理气相传输法（Physical Vapor Transport process，PVT）晶体生长工艺的软件。该软件可分析SiC、AlN、ZnO等晶体的PVT法生长，为热场设计、炉体组件优化、工艺质量分析等提供可靠的解决方案，在半导体、太阳能光伏等领域具有广泛的应用。

FEMAG/PVT软件的主要功能及特色

• 支持半透明辐射传热
• 支持感应加热分析
• 准确的气体流动计算模型
• 支持多种气体进、出口模式设置
• 支持不同宏单元之间的传热系数的计算 

FEMAG/PVT软件的典型应用

        FEMAG/PVT软件可全面分析PVT生长过程中涉及的温度、生长速率、气体流动以及热应力等问题，特别是可用于模拟SiC晶体的PVT法生长过程。

        SiC是一种优质的宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率等优点，是制备高温、大功率、低损耗大直径器件芯片以及光伏组件的基础和关键。SiC晶体在半导体、集成电路、太阳能光伏领域中的应用。

SiC晶体在半导体、集成电路、太阳能光伏电池中的应用

        单晶SiC无法经过熔融法形成，PVT法是获得单晶SiC的常用方法。PVT法制备单晶SiC的生长原理是：高纯SiC粉源在高温下分解形成气态物质（主要为Si、SiC2、Si2C），这些气态物质在过饱和度的驱动下，升华至冷端的籽晶处进行生长。过饱和度是由籽晶与粉源之间的温度梯度引起的。

        利用FEMAG/PVT软件计算SiC晶体PVT生长过程中沉积腔内的温度分布（电压30V、气压0.015bar、封闭腔外流量0.004 std m3/s）。

 SiC晶体PVT生长中沉积腔内的温度分布

FEMAG/PVT软件的典型应用

        FEMAG/PVT软件可全面分析PVT生长过程中涉及的温度、生长速率、气体流动以及热应力等问题，特别是可用于模拟SiC晶体的PVT法生长过程。

        SiC是一种优质的宽带隙半导体材料，具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率等优点，是制备高温、大功率、低损耗大直径器件芯片以及光伏组件的基础和关键。SiC晶体在半导体、集成电路、太阳能光伏领域中的应用。

SiC晶体在半导体、集成电路、太阳能光伏电池中的应用

        单晶SiC无法经过熔融法形成，PVT法是获得单晶SiC的常用方法。PVT法制备单晶SiC的生长原理是：高纯SiC粉源在高温下分解形成气态物质（主要为Si、SiC2、Si2C），这些气态物质在过饱和度的驱动下，升华至冷端的籽晶处进行生长。过饱和度是由籽晶与粉源之间的温度梯度引起的。

        利用FEMAG/PVT软件计算SiC晶体PVT生长过程中沉积腔内的温度分布（电压30V、气压0.015bar、封闭腔外流量0.004 std m3/s）。

 SiC晶体PVT生长中沉积腔内的温度分布